Substrat GaAs
Katrangan
Gallium Arsenide (GaAs) minangka semikonduktor senyawa III-Ⅴ sing penting lan diwasa, digunakake ing bidang optoelektronik lan mikroelektronik.GaAs utamane dipérang dadi rong kategori: GaAs semi-insulating lan GaAs tipe N.GaAs semi-insulating utamane digunakake kanggo nggawe sirkuit terpadu kanthi struktur MESFET, HEMT lan HBT, sing digunakake ing komunikasi gelombang radar, gelombang mikro lan milimeter, komputer kanthi kacepetan ultra-dhuwur lan komunikasi serat optik.GaAs jinis N utamané digunakake ing LD, LED, cedhak laser inframerah, kuantum well-daya laser dhuwur lan dhuwur-efficiency sel solar.
Properti
| kristal | Doped | Tipe Konduksi | Konsentrasi mili cm-3 | Kapadhetan cm-2 | Metode Pertumbuhan |
| GaAs | ora ana | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | > 5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | > 5×1017 |
Definisi Substrat GaAs
Substrat GaAs nuduhake substrat sing digawe saka bahan kristal galium arsenide (GaAs).GaAs minangka semikonduktor senyawa sing kasusun saka unsur galium (Ga) lan arsenik (As).
Substrat GaAs asring digunakake ing bidang elektronik lan optoelektronik amarga sifate sing apik banget.Sawetara sifat utama substrat GaAs kalebu:
1. Mobilitas elektron sing dhuwur: GaA nduweni mobilitas elektron sing luwih dhuwur tinimbang bahan semikonduktor umum liyane kayata silikon (Si).Karakteristik iki ndadekake substrat GaAs cocok kanggo peralatan elektronik daya dhuwur frekuensi dhuwur.
2. Longkangan pita langsung: GaAs duwe longkangan band langsung, kang tegese emisi cahya efisien bisa dumadi nalika elektron lan bolongan recombine.Karakteristik iki ndadekake substrat GaAs cocog kanggo aplikasi optoelektronik kayata dioda pemancar cahya (LED) lan laser.
3. Wide Bandgap: GaAs duwe bandgap luwih akeh tinimbang silikon, supaya bisa digunakake ing suhu sing luwih dhuwur.Properti iki ngidini piranti basis GaAs bisa digunakake kanthi luwih efisien ing lingkungan suhu dhuwur.
4. Kebisingan sing sithik: Substrat GaAs nampilake tingkat gangguan sing sithik, saengga cocog kanggo amplifier swara sing kurang lan aplikasi elektronik sensitif liyane.
Substrat GaAs akeh digunakake ing piranti elektronik lan optoelektronik, kalebu transistor kacepetan dhuwur, sirkuit terpadu gelombang mikro (IC), sel fotovoltaik, detektor foton, lan sel surya.
Substrat kasebut bisa disiapake kanthi nggunakake macem-macem teknik kayata Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE) utawa Liquid Phase Epitaxy (LPE).Cara pertumbuhan spesifik sing digunakake gumantung saka aplikasi sing dikarepake lan syarat kualitas substrat GaAs.
